MODUŁ DRAMU

MODUŁ DRAMU

Znaleziona w 2008 roku, nasza firma z grupy była w obszarze pamięci flash OEM prawie 15 lat, moduł OEM DRAM, OEM SSD, OEM USB FLASH DRIVE, OEM TF CARD, jako profesjonalny dostawca pamięci flash OEM, skoncentrowaliśmy się na oferowaniu usług dla głównych klientów marki , główni handlowcy i dystrybutorzy krajowi. Aby lepiej wspierać handlowców i dystrybutorów krajowych, mamy regularne gotowe towary zarówno w Hongkongu, jak i ShenZhen, sprzedaliśmy ponad 1 milion sztuk każdego miesiąca.

Obsługujemy głównie DDR3, DDR4 dla klientów, którzy również prowadzą działalność związaną z dyskami SSD, dla klientów marki lub fabryk komputerów, mamy również LPDDR, który teraz obsługuje tylko głównych klientów z Chin Inland telefonów komórkowych i IPAD oraz niektórych klientów inteligentnych zegarków. Dzięki wysokiej wydajności i mniejszemu zużyciu jest dobre dla małych inteligentnych urządzeń.


Parametr techniczny Dram/LPDDR:

KATEGORIA PRODUKTU

SPECYFIKACJA /
MAKSYMALNA SZYBKOŚĆ DANYCH

GĘSTOŚĆ

PAKIET

OPERACYJNY
TEMPERATURA

NAPARSTEK

DRAM D3

2Gb / 4Gb

Kula FBGA 96

25 stopni ~ 85 stopni

DRAM D4

4 Gb / 8 Gb

Kula FBGA 96


Moduł DRAM

U-DIMM

4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB

/

0 stopień - 85 stopień

SO-DIMM




R-DIMM

8 GB/16 GB/32 GB

/

0 stopień - 85 stopień

LPDDR

LP DDR4

2 GB / 3 GB / 4 GB / 6 GB / 8 GB

200Kula

0 stopień - 70 stopień


Dane techniczne:

Nr modelu produktu

Specyfikacja

Gęstość

Wymiar

Pakiet

DRAM U-DIMM
/SO-DIMM

8 GB X8/X16
1,2 V*2666/2933/3200 Mb/s

8 GB

7,5 x 13,3 mm
(W x L)

78Ball/96Ball

DRAM U-DIMM
/SOD-IMM

16 GB X8/X16
1,2 V*2666/2933/3200 Mb/s

16 GIGA BAJTÓW

10.3x11mm
(W x L)

78Ball/96Ball

DRAM U-DIMM
/SO-DIMM

32 GB X8/X16
1,2 V*2666/2933/3200 Mb/s

32 GB

10.3x11mm
(W x L)

78Ball/96Ball


Dostępny moduł:

Numer części 1)

Gęstość

Organizacja

Skład składników

Liczba
Ranga

Wzrost

4 GB UDIMM

4 GB

512Mx64

512Mx16 * 4

1

31,25 mm

8 GB UDIMM

8 GB

1Gx64

1Gx8 * 8

1

31,25 mm

16 GB UDIMM

16 GIGA BAJTÓW

2Gx64

1Gx8 * 16

2

31,25 mm

4GB SODIMM

4 GB

512Mx64

512Mx16 * 4

1

30 mm

8 GB SODIMM

8 GB

1Gx64

1Gx8 * 8

1

30 mm

16 GB SODIMM

16 GIGA BAJTÓW

2Gx64

1Gx8 * 16

2

30 mm

NOTATKA:

1) (2133 Mb/s 15-15-15) / (2400 Mb/s 17-17-17) / (2666 Mb/s 19-19-19) / (3200 Mb/s 22-22-22) ​​/ (3200 Mb/s 16-18-18) - DDR{ {12}}(3200Mbps 16-18-18) jest wstecznie kompatybilny z niższą częstotliwością.


KLUCZOWE CECHY

Prędkość

DDR4-2133

DDR4-2400

DDR4-2666

DDR4-3200

DDR4-3200

DDR4-3200

Jednostka

15-15-15

17-17-17

19-19-19

22-22-22

19-19-19

16-18-18

tCK(min)

0.938

0.833

0.75

0.625

0.625

0.625

ns

Opóźnienie CAS

15

17

19

22

19

16

nCK

tRCD (min)

14.06

14.16

14.25

13.75

11.875

11.25

ns

tRP(min)

14.06

14.16

14.25

13.75

11.875

11.25

ns

TRAS(min)

33

32

32

32.5

30.0

22.5

ns

tRC (min)

47.06

46.16

46.25

46.25

41.875

33.75

ns


●Standard JEDEC 1.2V ± 0.06V zasilacz

●VDDQ= 1.2V ± 0.06 V

●1067 MHz fCKdla 2133 Mb/s/pin, 1200 MHz fCKdla 2400Mb/s/pin 1333MHz fCK dla 2666Mb/s/pin, 1600MHz fCK dla 3200Mb/s/pin

●16 banków (4 grupy banków)

● Programowalne opóźnienie CAS: 10,11,12,13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22

●Programowalne opóźnienia addytywne (opublikowane CAS): zegar 0, CL - 2 lub CL - 1


● Programowalne opóźnienie zapisu CAS (CWL)=11,14 (DDR4-2133), 12,16 (DDR4-2400) i 14,18 (DDR4- 2666) ​​• Długość serii : 8, 4 z tCCD=4, który nie pozwala na bezproblemowy odczyt lub zapis [w locie za pomocą A12 lub MRS]

●Dwukierunkowy różnicowy stroboskop danych

●Zakończenie matrycy za pomocą szpilki ODT

● Średni okres odświeżania 7,8us przy temperaturze niższej niż TCASE 85C, 3,9us przy 85C < TCASE  95C

●Reset asynchroniczny


SCHEMAT BLOKOWY FUNKCJI dla:

4 GB, 512M x 64Moduły (wypełnione jako 1 pozycja x16DDR4 SDRAMs)


image003


NOTATKA :

1) O ile nie zaznaczono inaczej, wartości rezystorów wynoszą 150Ω 5%.

2) Rezystory ZQ to 2400Ω 1 procent. Wszystkie inne wartości rezystorów znajdują się na odpowiednim schemacie połączeń.

8 GB, 1Gx64Moduł (zamieszczany jako 1 pozycja x 8DDR4 SDRAM)


image006


Popularne Tagi: dram moduł, hurt, cena, luzem, OEM, 1 GB pendrive, Kompaktowy adapter karty pamięci flash, DDR, Micro Card do adaptera USB, Kontroler flash USB

Wyślij zapytanie

(0/10)

clearall