
NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.SPECYFIKACJE PRODUKTU Pojemność — 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB — Obsługa 32-trybu adresowania bitów Interfejs elektryczny/fizyczny — Interfejs PCIe − Zgodny z NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & wstecznie kompatybilny z...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7
1. SPECYFIKACJE PRODUKTU
Pojemność
− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB
− Obsługuje 32-tryb adresowania bitowego
Interfejs elektryczny/fizyczny
− Interfejs PCIe
− Zgodny z NVMe 1.3
− PCIe Express Base wersja 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 tory i kompatybilność wsteczna z PCIe Gen 2 i Gen 1
− Wsparcie do QD 128 z głębokością kolejki do 64K
− Obsługa zarządzania energią
Obsługiwana pamięć flash NAND
− Obsługa do 16 układów Flash Chip Enables (CE) w jednym projekcie
− Obsługa do 4 sztuk pamięci flash BGA132
− Obsługa 8-bitowego we/wy NAND Flash
− Obsługa interfejsu Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 i ONFI 4.0
Samsung V{0}}D NAND
Hynix V{0}}D NAND
Schemat EKK
− Dysk SSD HG2283 PCIe wykorzystuje algorytm LDPC lub ECC.
Wsparcie rozmiaru sektora
− 512B
− 4KB
UART/ GPIO
Obsługa poleceń SMART i TRIM
Zakres LBA
− Standard IDEMA
Wydajność
Wydajność HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mb/s)
|
Pojemność |
Struktura Flash (pakiet BGA) |
CE# |
Typ lampy błyskowej |
Sekwencyjny (CDM) |
IOMeter |
||
|
Odczyt (MB/s) |
Zapis (MB/s) |
Odczyt (IOPS) |
Zapis (IOPS) |
||||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
UWAGI:
1. Wydajność oparto na pamięci flash Hynix V7 TLC NAND.
POBÓR ENERGII
|
Pojemność |
Konfiguracja Flash (pakiet BGA) |
|
Pobór energii3 |
|
|
|
Odczyt (mW) |
Napisz (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128 GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
UWAGI:
1. Dane zmierzone na podstawie Hynix V{1}}Gb mono die TLC Flash.
2. Zużycie energii jest mierzone podczas sekwencyjnych operacji odczytu i zapisu wykonywanych przez IOMeter.
Zarządzanie Flashem
1.4.1. Kod korekcji błędów (ECC)
Komórki pamięci flash zużywają się podczas użytkowania, co może generować przypadkowe błędy bitowe w przechowywanych danych. W ten sposób HG2283 PCIe SSD stosuje algorytm LDPC (Low Density Parity Check) ECC, który może wykrywać i korygować błędy występujące podczas procesu odczytu, zapewniać prawidłowy odczyt danych, a także chronić dane przed uszkodzeniem.
1.4.2. Wyrównywanie zużycia
Urządzenia flash NAND mogą przechodzić tylko ograniczoną liczbę cykli programowania/kasowania, gdy nośniki flash nie są używane równomiernie, niektóre bloki są aktualizowane częściej niż inne, a żywotność urządzenia znacznie się skraca. W ten sposób stosowane jest wyrównywanie zużycia, aby wydłużyć żywotność pamięci flash NAND poprzez równomierne rozłożenie cykli zapisu i kasowania na nośniku.
HosinGlobal zapewnia zaawansowany algorytm równoważenia zużycia, który może efektywnie rozłożyć użycie pamięci flash na cały obszar pamięci flash. Co więcej, dzięki wdrożeniu zarówno dynamicznych, jak i statycznych algorytmów równoważenia zużycia, oczekiwana żywotność pamięci flash NAND znacznie się wydłużyła.
1.4.3. Zarządzanie złymi blokami
Uszkodzone bloki to bloki, które nie działają prawidłowo lub zawierają więcej nieprawidłowych bitów, co powoduje niestabilność przechowywanych danych, a ich niezawodność nie jest gwarantowana. Bloki zidentyfikowane i oznaczone jako złe przez producenta są określane jako „wczesne uszkodzone bloki”. Uszkodzone bloki, które powstają w okresie eksploatacji pamięci flash, nazywane są „Późniejszymi uszkodzonymi blokami”. HosinGlobal wdraża wydajny algorytm zarządzania uszkodzonymi blokami w celu wykrywania uszkodzonych bloków wyprodukowanych fabrycznie i zarządzania uszkodzonymi blokami, które pojawiają się podczas użytkowania. Ta praktyka zapobiega przechowywaniu danych w uszkodzonych blokach i dodatkowo poprawia niezawodność danych.
1.4.4. PRZYCINAĆ
TRIM to funkcja, która pomaga poprawić wydajność odczytu/zapisu i szybkość dysków półprzewodnikowych (SSD). W przeciwieństwie do dysków twardych (HDD), dyski SSD nie są w stanie nadpisać istniejących danych, więc dostępna przestrzeń stopniowo zmniejsza się przy każdym użyciu. Za pomocą polecenia TRIM system operacyjny może poinformować dysk SSD, aby bloki danych, które nie są już używane, mogły zostać trwale usunięte. W ten sposób dysk SSD wykona akcję wymazywania, która zapobiega zajmowaniu bloków przez nieużywane dane przez cały czas.
1.4.5. MĄDRY
SMART, skrót od Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, to otwarty standard, który umożliwia dyskowi półprzewodnikowemu automatyczne wykrywanie jego stanu i zgłaszanie potencjalnych awarii. Gdy SMART zarejestruje awarię, użytkownicy mogą zdecydować się na wymianę dysku, aby zapobiec nieoczekiwanemu przestojowi lub utracie danych. Ponadto SMART może informować użytkowników o zbliżających się awariach, gdy jest jeszcze czas na podjęcie proaktywnych działań, takich jak zapisanie danych na innym urządzeniu.
1.4.6. Nadmierna rezerwa
Over Provisioning odnosi się do zachowania dodatkowego obszaru poza pojemnością użytkownika na dysku SSD, który nie jest widoczny dla użytkowników i nie może być przez nich używany. Pozwala to jednak kontrolerowi SSD na wykorzystanie dodatkowej przestrzeni w celu uzyskania lepszej wydajności i WAF. Dzięki Over Provisioning wydajność i IOPS (operacje wejścia/wyjścia na sekundę) są poprawione dzięki zapewnieniu kontrolerowi dodatkowej przestrzeni do zarządzania cyklami P/E, co również zwiększa niezawodność i wytrzymałość. Co więcej, wzmocnienie zapisu dysku SSD zmniejsza się, gdy
kontroler zapisuje dane do pamięci flash.
1.4.7. Aktualizacja oprogramowania układowego
Firmware można traktować jako zestaw instrukcji dotyczących sposobu komunikowania się urządzenia z hostem. Oprogramowanie układowe będzie można aktualizować po dodaniu nowych funkcji, naprawieniu problemów ze zgodnością lub poprawie wydajności odczytu/zapisu.
1.4.8. Dławienie termiczne
Celem dławienia termicznego jest zapobieganie przegrzewaniu się komponentów dysku SSD podczas operacji odczytu i zapisu. HG2283 został zaprojektowany z czujnikiem termicznym na matrycy i jego dokładnością; oprogramowanie układowe może stosować różne poziomy dławienia, aby skutecznie i proaktywnie osiągnąć cel ochrony poprzez odczyt SMART.
1.5. Zaawansowane funkcje bezpieczeństwa urządzenia
1.5.1. Bezpieczne wymazywanie
Bezpieczne wymazywanie to standardowe polecenie formatu NVMe, które zapisze wszystkie „0x00”, aby całkowicie wyczyścić wszystkie dane na dyskach twardych i dyskach SSD. Po wydaniu tego polecenia kontroler SSD usunie swoje bloki pamięci i powróci do domyślnych ustawień fabrycznych.
1.5.2. Wymazywanie kryptowalut
Crypto Erase to funkcja, która usuwa wszystkie dane z dysku SSD aktywowanego przez OPAL lub dysku „SED” (Security-Enabled Disk) poprzez zresetowanie klucza kryptograficznego dysku. Ponieważ klucz zostanie zmodyfikowany, wcześniej zaszyfrowane dane staną się bezużyteczne, osiągając cel bezpieczeństwa danych.
1.5.3. Identyfikator SID obecności fizycznej (PSID)
Identyfikator SID obecności fizycznej (PSID) jest definiowany przez TCG OPAL jako 32-ciąg znaków, a jego celem jest przywrócenie ustawienia fabrycznego dysku SSD, gdy dysk jest nadal aktywowany przez OPAL. Kod PSID można wydrukować na etykiecie dysku SSD, jeśli dysk SSD aktywowany przez OPAL obsługuje funkcję przywracania PSID.
1.6. Zarządzanie całym okresem eksploatacji dysków SSD
1.6.1. Zapisane terabajty (TBW)
TBW (zapisane terabajty) to miara oczekiwanej żywotności dysków SSD, która reprezentuje ilość danych
zapisane na urządzeniu. Aby obliczyć TBW dysku SSD, stosuje się następujące równanie:
TBW = [(Wytrzymałość NAND) x (Pojemność SSD)] / [WAF]
Wytrzymałość NAND: Trwałość pamięci NAND odnosi się do cyklu P/E (programowanie/kasowanie) pamięci flash NAND.
Pojemność SSD: Pojemność dysku SSD to specyficzna całkowita pojemność dysku SSD.
WAF: Współczynnik wzmocnienia zapisu (WAF) to wartość liczbowa reprezentująca stosunek ilości danych, które musi zapisać kontroler SSD, do ilości danych zapisanych przez kontroler pamięci flash hosta. Lepszy WAF, który jest bliski 1, gwarantuje lepszą wytrzymałość i niższą częstotliwość zapisu danych do pamięci flash.
TBW w tym dokumencie opiera się na obciążeniu pracą JEDEC 218/219.
1.6.2. Wskaźnik zużycia nośnika
Rzeczywisty wskaźnik żywotności zgłaszany przez indeks bajtów atrybutu SMART [5], Procent zużycia, zaleca użytkownikowi wymianę dysku po osiągnięciu 100 procent.
1.6.3. Tryb tylko do odczytu (koniec okresu eksploatacji)
Kiedy dysk starzeje się przez skumulowane cykle programowania/kasowania, zużyty nośnik może powodować wzrost liczby późniejszych uszkodzonych bloków. Gdy liczba użytecznych dobrych bloków spadnie poza zdefiniowany zakres, dysk powiadomi hosta za pomocą zdarzenia AER i ostrzeżenia krytycznego, aby przejść do trybu tylko do odczytu, aby zapobiec dalszemu uszkodzeniu danych. Użytkownik powinien niezwłocznie przystąpić do wymiany dysku na inny.
1.7. Adaptacyjne podejście do strojenia wydajności
1.7.1. Wydajność
W oparciu o dostępne miejsce na dysku, HG2283 będzie regulować prędkość odczytu/zapisu i zarządzać wydajnością przepustowości. Gdy nadal pozostaje dużo miejsca, oprogramowanie sprzętowe będzie stale wykonywać operacje odczytu/zapisu. Nadal nie ma potrzeby implementowania wyrzucania elementów bezużytecznych w celu przydzielania i zwalniania pamięci, co przyspieszy przetwarzanie odczytu/zapisu w celu poprawy wydajności. Z drugiej strony, gdy miejsce ma zostać wykorzystane, HG2283 spowolni przetwarzanie odczytu/zapisu i zaimplementuje wyrzucanie elementów bezużytecznych w celu zwolnienia pamięci. W związku z tym wydajność odczytu/zapisu będzie mniejsza.
1.7.2. Przewiduj i pobieraj
Zwykle, gdy host próbuje odczytać dane z dysku SSD PCIe, dysk SSD PCIe wykona tylko jedną czynność odczytu po otrzymaniu jednego polecenia. Jednak HG2283 stosuje Predict & Fetch, aby poprawić prędkość odczytu. Gdy host wydaje sekwencyjne polecenia odczytu do dysku SSD PCIe, dysk SSD PCIe automatycznie oczekuje, że następujące polecenia również będą poleceniami odczytu. Zatem przed otrzymaniem kolejnego polecenia flash przygotował już dane. W związku z tym przyspiesza to czas przetwarzania danych, a host nie musi tak długo czekać na otrzymanie danych.
1.7.3. Buforowanie SLC
Projekt oprogramowania układowego HG2283 wykorzystuje obecnie dynamiczne buforowanie, aby zapewnić lepszą wydajność, lepszą wytrzymałość i wygodę użytkownika.
3.1. Warunki środowiskowe 3.1.1. Temperatura i wilgotność
Tabela 3-1 Wysoka temperatura
|
|
Temperatura |
Wilgotność |
|
Operacja |
70 stopni |
0 procent wilgotności względnej |
|
Składowanie |
85 stopni |
0 procent wilgotności względnej |
Tabela 3-2 Niska temperatura
|
|
Temperatura |
Wilgotność |
|
Operacja |
0 stopień |
0 procent wilgotności względnej |
|
Składowanie |
-40 stopień |
0 procent wilgotności względnej |
Tabela 3-3 Wysoka wilgotność
|
|
Temperatura |
Wilgotność |
|
Operacja |
40 stopni |
90 procent wilgotności względnej |
|
Składowanie |
40 stopni |
93 procent wilgotności względnej |
Tabela 3-4 Zmiana temperatury
|
|
Temperatura |
|
Operacja |
0 stopień |
|
70 stopni1 |
|
|
Składowanie |
-40 stopień |
|
85 stopni |
Uwagi:
1. Temperatura pracy jest mierzona na podstawie temperatury obudowy, w której sugerowany jest przepływ powietrza SMART, co pozwoli na pracę urządzenia w odpowiedniej temperaturze dla każdego elementu w środowisku dużego obciążenia.
3.1.2. Zaszokować
Stół 3-5 Szok
|
|
Siła przyspieszenia |
|
Nieoperacyjny |
1500G |
3.1.3. Wibracja
Tabela 3-6 Wibracje
|
|
kond |
icja |
|
Częstotliwość/przemieszczenie |
Częstotliwość/Przyspieszenie |
|
|
Nieoperacyjny |
20 Hz ~ 80 Hz/1,52 mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Upuszczać
Stół 3-7 Upuść
|
|
|
Wysokość spadku |
|
|
Liczba kropli |
|
Nieoperacyjny |
|
80 cm swobodnego spadania |
|
|
6 ścian każdej jednostki |
|
3.1.5. Pochylenie się |
Tabela 3-8 Gięcie |
|
|
||
|
|
|
Siła |
|
|
Działanie |
|
Nieoperacyjny |
|
Większy lub równy 20N |
|
|
Przytrzymaj 1 min/5 razy |
|
3.1.6. Moment obrotowy |
Tabela 3-9 Moment obrotowy |
|
|
||
|
|
|
Siła |
|
|
Działanie |
|
Nieoperacyjny |
|
0,5N-m lub ±2,5 st |
|
|
Przytrzymaj 1 min/5 razy |
|
3.1.7. Wyładowania elektrostatyczne (ESD) |
Tabela 3-10 ESD |
|
|
||
|
Specyfikacja |
|
|
plus /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 i IEC 61000-4-2 |
Wpływa to na funkcje urządzenia, ale EUT automatycznie powróci do swojego normalnego lub operacyjnego stanu. |
||||
4. SPECYFIKACJE ELEKTRYCZNE
4.1. Napięcie zasilania
Tabela 4-1 Napięcie zasilania
|
Parametr |
Ocena |
|
Napięcie robocze |
Min.=3,14 V Maks.=3,47 V |
|
Czas narastania (maks./min.) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Czas opadania (maks./min.) |
1500 ms / 1 ms |
|
min. Po czasie1 |
1500 ms |
NOTATKA:
1. Minimalny czas między odłączeniem zasilania od dysku SSD (Vcc < 100 mV) a ponownym włączeniem zasilania do dysku.
4.2. Pobór energii
Tabela 4-2 Zużycie energii w mW
|
Pojemność |
Konfiguracja Flasha |
CE# |
Odczyt (maks.) |
Zapis (maks.) |
Czytać (Śr.) |
Napisz (śr.) |
|
128 GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
UWAGI:
W oparciu o serię APF1Mxxx w temperaturze otoczenia.
Średnia wartość zużycia energii została osiągnięta przy 100-procentowej sprawności konwersji.
Zmierzone napięcie zasilania wynosi 3,3 V.
Temperatura urządzenia pamięci masowej w PS1 powinna pozostać stała lub powinna nieznacznie spadać dla wszystkich obciążeń, więc rzeczywista moc w PS1 powinna być niższa niż PS{2}}.
Temperatura urządzenia pamięci masowej w PS2 powinna gwałtownie spadać dla wszystkich obciążeń, więc rzeczywista moc w PS2 powinna być niższa niż w PS1.
5. INTERFEJS
5.1. Przypisanie pinów i opisy
Tabela {{0}} określa przypisanie sygnału wewnętrznego złącza NGFF do użytku z dyskiem SSD, opisane w specyfikacji PCI Express M.2 w wersji 1.0 karty PCI-SIG.
Tabela 5-1 Przypisanie pinów i opis HG2283 M.2 2280
|
Nr styku |
Pin PCIe |
Opis |
|
1 |
GND |
KONFIG._3=GND |
|
2 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
3 |
GND |
Grunt |
|
4 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
5 |
PETn3 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
6 |
N/C |
Brak połączenia |
|
7 |
PETp3 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
8 |
N/C |
Brak połączenia |
|
9 |
GND |
Grunt |
|
10 |
LED1# |
Otwarty dren, aktywny niski sygnał. Sygnały te są używane, aby umożliwić karcie rozszerzeń dostarczanie wskaźników stanu za pośrednictwem urządzeń LED, które będą dostarczane przez system. |
|
11 |
PERn3 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
12 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
13 |
PERp3 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
14 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
15 |
GND |
Grunt |
|
16 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
17 |
PETn2 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
18 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
19 |
PETp2 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
20 |
N/C |
Brak połączenia |
|
21 |
GND |
Grunt |
|
22 |
N/C |
Brak połączenia |
|
23 |
PERn2 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
24 |
N/C |
Brak połączenia |
|
25 |
PERp2 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
26 |
N/C |
Brak połączenia |
|
27 |
GND |
Grunt |
|
28 |
N/C |
Brak połączenia |
|
29 |
PETn1 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
30 |
N/C |
Brak połączenia |
|
31 |
PETp1 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
32 |
GND |
Grunt |
|
33 |
GND |
Grunt |
|
34 |
N/C |
Brak połączenia |
|
35 |
PERn1 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
36 |
N/C |
Brak połączenia |
|
37 |
PERp1 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
Nr styku |
Pin PCIe |
Opis |
|
38 N/C |
Brak połączenia |
|
|
39 GND |
Grunt |
|
|
40 SMB_CLK (we/wy)(0/1,8V) |
Zegar SMBus; Open Drain z podciąganiem na platformie |
|
|
41 |
PETn0 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
42 |
SMB{{0}}DANE (we/wy)(0/1,8V) |
Dane SMBus; Open Drain z podciąganiem na platformie. |
|
43 |
PETp0 |
Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1,8V) |
Powiadomienie o alarmie do kapitana; Open Drain z podciąganiem na platformie; Aktywny niski. |
|
45 |
GND |
Grunt |
|
46 |
N/C |
Brak połączenia |
|
47 |
PERn0 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
48 |
N/C |
Brak połączenia |
|
49 |
PErp0 |
PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2 |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset to funkcjonalny reset karty zgodnie ze specyfikacją PCIe Mini CEM. |
|
51 |
GND |
Grunt |
|
52 |
CLKREQ#(I/O)(0/3.3V) |
Żądanie zegara to referencyjny sygnał żądania zegara, zgodnie z definicją w specyfikacji PCIe Mini CEM; Używany również przez podstany L1 PM. |
|
53 |
REFCLKn |
Sygnały zegara referencyjnego PCIe (100 MHz) zdefiniowane w specyfikacji PCI Express M.2. |
|
54 |
PEWAKE#(I/O)(0/3.3V) |
Wybudzanie PCIe PME. Otwarty odpływ z podciąganiem na platformie; Aktywny niski. |
|
55 |
REFCLKp |
Sygnały zegara referencyjnego PCIe (100 MHz) zdefiniowane w specyfikacji PCI Express M.2. |
|
56 |
Zarezerwowane dla DANYCH MFG |
Linia danych produkcyjnych. Używany tylko do produkcji dysków SSD. Nie używany w normalnej eksploatacji. Kołki należy pozostawić N/C w gnieździe platformy. |
|
57 |
GND |
Grunt |
|
58 |
Zarezerwowane dla MFG CLOCK |
Linia produkcyjna zegara. Używany tylko do produkcji dysków SSD. Nie używany w normalnej eksploatacji. Kołki należy pozostawić N/C w gnieździe platformy. |
|
59 |
Klucz modułu M |
Klucz modułu |
|
60 |
Klucz modułu M |
|
|
61 |
Klucz modułu M |
|
|
62 |
Klucz modułu M |
|
|
63 |
Klucz modułu M |
|
|
64 |
Klucz modułu M |
|
|
65 |
Klucz modułu M |
|
|
66 |
Klucz modułu M |
|
|
67 |
N/C |
Brak połączenia |
|
68 |
SUSCLK (32 KHz) (I)(0/3.3V) |
Wejście zasilania zegara 32,768 kHz zapewniane przez chipset platformy w celu zmniejszenia zużycia energii i kosztów modułu. |
|
69 |
NC |
KONFIG{0}} Brak połączenia |
|
70 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
71 |
GND |
Grunt |
|
72 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
73 |
GND |
Grunt |
|
74 |
3.3V |
Źródło 3,3 V |
|
75 |
GND |
KONFIG_2=Uziemienie |
Rozmiar: M.2 2280 S2
Wymiary: 80,00 mm (dł.) x 22,00 mm (szer.) x 2,15 mm (wys.)
|
Wyświetl kierunek |
Diagram |
|
Szczyt |
![]()
|
|
Spód |
|
|
Wyświetl kierunek |
Diagram |
|
Strona |
|
|
|
|

Rysunek 7-1 Schemat mechaniczny i wymiary produktu
8. UWAGI APLIKACYJNE
8.1. Środki ostrożności dotyczące obchodzenia się z opakowaniem z wagą waflową (WLCSP).
Na jednym urządzeniu SSD składa się wiele komponentów. Z dyskiem należy obchodzić się ostrożnie, zwłaszcza jeśli zawiera jakiekolwiek komponenty WLCSP (opakowywanie waferowych układów scalonych), takie jak PMIC, czujnik termiczny lub przełącznik obciążenia. WLCSP to jedna z technologii pakowania, która jest powszechnie stosowana do tworzenia mniejszych powierzchni, ale wszelkie uderzenia lub zadrapania mogą uszkodzić te ultramałe części, dlatego zdecydowanie zaleca się delikatne obchodzenie się z nimi.
NIE UPUŚĆ dysku SSD
INSTALUJ dysk SSD Z OSTROŻNOŚCIĄ
WYRZUCIĆ SSD W ODPOWIEDNIM OPAKOWANIU
8.2. Środki ostrożności dotyczące montażu dysku SSD M.2 M.2
M Key M.2 SSD (Rysunek 1) jest kompatybilny tylko z gniazdem M Key (Rysunek 2). Jak pokazano w przypadku użycia 2, niewłaściwe użycie może spowodować poważne uszkodzenia dysku SSD, w tym spalenie.
Rysunek 8-1 Klawisz M M.2 Środki ostrożności podczas montażu

Popularne Tagi: NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7, Chiny NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7, Adapter karty CF dla karty SD, Adapter Duo Memory Stick do SD, Adapter MicroSd Memory Stick, Micro SD Adapter USB, Adapter USB Micro SD, Adapter karty USB CF
Wyślij zapytanie
















