NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7
NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7
video
M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T
2280 NVME 1TB
2280 NVME PCIE 1TB
HG2263+V7
NVME 1T
2280 PCIE NVME 1TB
BULK USB PACKAGE
1/2
<< /span>
>

NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7

M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.SPECYFIKACJE PRODUKTU Pojemność — 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB — Obsługa 32-trybu adresowania bitów Interfejs elektryczny/fizyczny — Interfejs PCIe − Zgodny z NVMe 1.3 − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & wstecznie kompatybilny z...

                                               M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7

 

1. SPECYFIKACJE PRODUKTU

 

Pojemność

− 128 GB, 256 GB, 512 GB, 1024 GB, 2048 GB

− Obsługuje 32-tryb adresowania bitowego

Interfejs elektryczny/fizyczny

− Interfejs PCIe

− Zgodny z NVMe 1.3

− PCIe Express Base wersja 3.1

− PCIe Gen 3 x 4 tory i kompatybilność wsteczna z PCIe Gen 2 i Gen 1

− Wsparcie do QD 128 z głębokością kolejki do 64K

− Obsługa zarządzania energią

Obsługiwana pamięć flash NAND

− Obsługa do 16 układów Flash Chip Enables (CE) w jednym projekcie

− Obsługa do 4 sztuk pamięci flash BGA132

− Obsługa 8-bitowego we/wy NAND Flash

− Obsługa interfejsu Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 i ONFI 4.0

Samsung V{0}}D NAND

Hynix V{0}}D NAND

Schemat EKK

− Dysk SSD HG2283 PCIe wykorzystuje algorytm LDPC lub ECC.

Wsparcie rozmiaru sektora

   − 512B

− 4KB

UART/ GPIO

Obsługa poleceń SMART i TRIM

Zakres LBA

− Standard IDEMA

 

 

Wydajność                 

 

Wydajność HG2283 plus Hynix V7 (1200 Mb/s)

Pojemność

Struktura Flash (pakiet BGA)

CE#

Typ lampy błyskowej

Sekwencyjny (CDM)

IOMeter

Odczyt (MB/s)

Zapis (MB/s)

Odczyt (IOPS)

Zapis (IOPS)

128 GB

DDP x 1

2

BGA132, Hynix V7

1650

1100

195K

260K

256 GB

DDP x 2

4

BGA132, Hynix V7

3100

1850

360K

450K

512 GB

QDP x 2

8

BGA132, Hynix V7

3100

2090

360K

475K

1024 GB

QDP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

2048 GB

ODP x 4

16

BGA132, Hynix V7

3100

2200

360K

480K

UWAGI:

1. Wydajność oparto na pamięci flash Hynix V7 TLC NAND.

 

POBÓR ENERGII

Pojemność

Konfiguracja Flash (pakiet BGA)

 

Pobór energii3

 

Odczyt (mW)

Napisz (mW)

PS3 (mW)

PS4 (mW)

128 GB

DDP x 1

2940

2530

50

5

256 GB

DDP x 2

4120

3400

50

5

512 GB

QDP x 2

4090

3390

50

5

1024 GB

QDP x 4

4050

3380

50

5

2048 GB

ODP x 4

4440

3810

50

5

UWAGI:

1. Dane zmierzone na podstawie Hynix V{1}}Gb mono die TLC Flash.

2. Zużycie energii jest mierzone podczas sekwencyjnych operacji odczytu i zapisu wykonywanych przez IOMeter.

 

Zarządzanie Flashem

1.4.1. Kod korekcji błędów (ECC)

Komórki pamięci flash zużywają się podczas użytkowania, co może generować przypadkowe błędy bitowe w przechowywanych danych. W ten sposób HG2283 PCIe SSD stosuje algorytm LDPC (Low Density Parity Check) ECC, który może wykrywać i korygować błędy występujące podczas procesu odczytu, zapewniać prawidłowy odczyt danych, a także chronić dane przed uszkodzeniem.

 

1.4.2. Wyrównywanie zużycia

Urządzenia flash NAND mogą przechodzić tylko ograniczoną liczbę cykli programowania/kasowania, gdy nośniki flash nie są używane równomiernie, niektóre bloki są aktualizowane częściej niż inne, a żywotność urządzenia znacznie się skraca. W ten sposób stosowane jest wyrównywanie zużycia, aby wydłużyć żywotność pamięci flash NAND poprzez równomierne rozłożenie cykli zapisu i kasowania na nośniku.

 

HosinGlobal zapewnia zaawansowany algorytm równoważenia zużycia, który może efektywnie rozłożyć użycie pamięci flash na cały obszar pamięci flash. Co więcej, dzięki wdrożeniu zarówno dynamicznych, jak i statycznych algorytmów równoważenia zużycia, oczekiwana żywotność pamięci flash NAND znacznie się wydłużyła.

 

1.4.3. Zarządzanie złymi blokami

Uszkodzone bloki to bloki, które nie działają prawidłowo lub zawierają więcej nieprawidłowych bitów, co powoduje niestabilność przechowywanych danych, a ich niezawodność nie jest gwarantowana. Bloki zidentyfikowane i oznaczone jako złe przez producenta są określane jako „wczesne uszkodzone bloki”. Uszkodzone bloki, które powstają w okresie eksploatacji pamięci flash, nazywane są „Późniejszymi uszkodzonymi blokami”. HosinGlobal wdraża wydajny algorytm zarządzania uszkodzonymi blokami w celu wykrywania uszkodzonych bloków wyprodukowanych fabrycznie i zarządzania uszkodzonymi blokami, które pojawiają się podczas użytkowania. Ta praktyka zapobiega przechowywaniu danych w uszkodzonych blokach i dodatkowo poprawia niezawodność danych.

 

1.4.4. PRZYCINAĆ

TRIM to funkcja, która pomaga poprawić wydajność odczytu/zapisu i szybkość dysków półprzewodnikowych (SSD). W przeciwieństwie do dysków twardych (HDD), dyski SSD nie są w stanie nadpisać istniejących danych, więc dostępna przestrzeń stopniowo zmniejsza się przy każdym użyciu. Za pomocą polecenia TRIM system operacyjny może poinformować dysk SSD, aby bloki danych, które nie są już używane, mogły zostać trwale usunięte. W ten sposób dysk SSD wykona akcję wymazywania, która zapobiega zajmowaniu bloków przez nieużywane dane przez cały czas.

 

1.4.5. MĄDRY

SMART, skrót od Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology, to otwarty standard, który umożliwia dyskowi półprzewodnikowemu automatyczne wykrywanie jego stanu i zgłaszanie potencjalnych awarii. Gdy SMART zarejestruje awarię, użytkownicy mogą zdecydować się na wymianę dysku, aby zapobiec nieoczekiwanemu przestojowi lub utracie danych. Ponadto SMART może informować użytkowników o zbliżających się awariach, gdy jest jeszcze czas na podjęcie proaktywnych działań, takich jak zapisanie danych na innym urządzeniu.

 

1.4.6. Nadmierna rezerwa

Over Provisioning odnosi się do zachowania dodatkowego obszaru poza pojemnością użytkownika na dysku SSD, który nie jest widoczny dla użytkowników i nie może być przez nich używany. Pozwala to jednak kontrolerowi SSD na wykorzystanie dodatkowej przestrzeni w celu uzyskania lepszej wydajności i WAF. Dzięki Over Provisioning wydajność i IOPS (operacje wejścia/wyjścia na sekundę) są poprawione dzięki zapewnieniu kontrolerowi dodatkowej przestrzeni do zarządzania cyklami P/E, co również zwiększa niezawodność i wytrzymałość. Co więcej, wzmocnienie zapisu dysku SSD zmniejsza się, gdy

kontroler zapisuje dane do pamięci flash.

 

1.4.7. Aktualizacja oprogramowania układowego

Firmware można traktować jako zestaw instrukcji dotyczących sposobu komunikowania się urządzenia z hostem. Oprogramowanie układowe będzie można aktualizować po dodaniu nowych funkcji, naprawieniu problemów ze zgodnością lub poprawie wydajności odczytu/zapisu.

 

1.4.8. Dławienie termiczne

Celem dławienia termicznego jest zapobieganie przegrzewaniu się komponentów dysku SSD podczas operacji odczytu i zapisu. HG2283 został zaprojektowany z czujnikiem termicznym na matrycy i jego dokładnością; oprogramowanie układowe może stosować różne poziomy dławienia, aby skutecznie i proaktywnie osiągnąć cel ochrony poprzez odczyt SMART.

 

1.5. Zaawansowane funkcje bezpieczeństwa urządzenia

1.5.1. Bezpieczne wymazywanie

Bezpieczne wymazywanie to standardowe polecenie formatu NVMe, które zapisze wszystkie „0x00”, aby całkowicie wyczyścić wszystkie dane na dyskach twardych i dyskach SSD. Po wydaniu tego polecenia kontroler SSD usunie swoje bloki pamięci i powróci do domyślnych ustawień fabrycznych.

 

1.5.2. Wymazywanie kryptowalut

Crypto Erase to funkcja, która usuwa wszystkie dane z dysku SSD aktywowanego przez OPAL lub dysku „SED” (Security-Enabled Disk) poprzez zresetowanie klucza kryptograficznego dysku. Ponieważ klucz zostanie zmodyfikowany, wcześniej zaszyfrowane dane staną się bezużyteczne, osiągając cel bezpieczeństwa danych.

 

1.5.3. Identyfikator SID obecności fizycznej (PSID)

Identyfikator SID obecności fizycznej (PSID) jest definiowany przez TCG OPAL jako 32-ciąg znaków, a jego celem jest przywrócenie ustawienia fabrycznego dysku SSD, gdy dysk jest nadal aktywowany przez OPAL. Kod PSID można wydrukować na etykiecie dysku SSD, jeśli dysk SSD aktywowany przez OPAL obsługuje funkcję przywracania PSID.

 

1.6. Zarządzanie całym okresem eksploatacji dysków SSD

1.6.1. Zapisane terabajty (TBW)

TBW (zapisane terabajty) to miara oczekiwanej żywotności dysków SSD, która reprezentuje ilość danych

zapisane na urządzeniu. Aby obliczyć TBW dysku SSD, stosuje się następujące równanie:

TBW = [(Wytrzymałość NAND) x (Pojemność SSD)] / [WAF]

Wytrzymałość NAND: Trwałość pamięci NAND odnosi się do cyklu P/E (programowanie/kasowanie) pamięci flash NAND.

Pojemność SSD: Pojemność dysku SSD to specyficzna całkowita pojemność dysku SSD.

WAF: Współczynnik wzmocnienia zapisu (WAF) to wartość liczbowa reprezentująca stosunek ilości danych, które musi zapisać kontroler SSD, do ilości danych zapisanych przez kontroler pamięci flash hosta. Lepszy WAF, który jest bliski 1, gwarantuje lepszą wytrzymałość i niższą częstotliwość zapisu danych do pamięci flash.

 

TBW w tym dokumencie opiera się na obciążeniu pracą JEDEC 218/219.

 

1.6.2. Wskaźnik zużycia nośnika

Rzeczywisty wskaźnik żywotności zgłaszany przez indeks bajtów atrybutu SMART [5], Procent zużycia, zaleca użytkownikowi wymianę dysku po osiągnięciu 100 procent.

 

1.6.3. Tryb tylko do odczytu (koniec okresu eksploatacji)

Kiedy dysk starzeje się przez skumulowane cykle programowania/kasowania, zużyty nośnik może powodować wzrost liczby późniejszych uszkodzonych bloków. Gdy liczba użytecznych dobrych bloków spadnie poza zdefiniowany zakres, dysk powiadomi hosta za pomocą zdarzenia AER i ostrzeżenia krytycznego, aby przejść do trybu tylko do odczytu, aby zapobiec dalszemu uszkodzeniu danych. Użytkownik powinien niezwłocznie przystąpić do wymiany dysku na inny.

 

1.7. Adaptacyjne podejście do strojenia wydajności

1.7.1. Wydajność

W oparciu o dostępne miejsce na dysku, HG2283 będzie regulować prędkość odczytu/zapisu i zarządzać wydajnością przepustowości. Gdy nadal pozostaje dużo miejsca, oprogramowanie sprzętowe będzie stale wykonywać operacje odczytu/zapisu. Nadal nie ma potrzeby implementowania wyrzucania elementów bezużytecznych w celu przydzielania i zwalniania pamięci, co przyspieszy przetwarzanie odczytu/zapisu w celu poprawy wydajności. Z drugiej strony, gdy miejsce ma zostać wykorzystane, HG2283 spowolni przetwarzanie odczytu/zapisu i zaimplementuje wyrzucanie elementów bezużytecznych w celu zwolnienia pamięci. W związku z tym wydajność odczytu/zapisu będzie mniejsza.

1.7.2. Przewiduj i pobieraj

Zwykle, gdy host próbuje odczytać dane z dysku SSD PCIe, dysk SSD PCIe wykona tylko jedną czynność odczytu po otrzymaniu jednego polecenia. Jednak HG2283 stosuje Predict & Fetch, aby poprawić prędkość odczytu. Gdy host wydaje sekwencyjne polecenia odczytu do dysku SSD PCIe, dysk SSD PCIe automatycznie oczekuje, że następujące polecenia również będą poleceniami odczytu. Zatem przed otrzymaniem kolejnego polecenia flash przygotował już dane. W związku z tym przyspiesza to czas przetwarzania danych, a host nie musi tak długo czekać na otrzymanie danych.

1.7.3. Buforowanie SLC

Projekt oprogramowania układowego HG2283 wykorzystuje obecnie dynamiczne buforowanie, aby zapewnić lepszą wydajność, lepszą wytrzymałość i wygodę użytkownika.

 

3. SPECYFIKACJE ŚRODOWISKOWE

 

3.1. Warunki środowiskowe 3.1.1. Temperatura i wilgotność

 

Tabela 3-1 Wysoka temperatura

 

Temperatura

Wilgotność

Operacja

70 stopni

0 procent wilgotności względnej

Składowanie

85 stopni

0 procent wilgotności względnej

 

Tabela 3-2 Niska temperatura

 

Temperatura

Wilgotność

Operacja

0 stopień

0 procent wilgotności względnej

Składowanie

-40 stopień

0 procent wilgotności względnej

 

Tabela 3-3 Wysoka wilgotność

 

Temperatura

Wilgotność

Operacja

40 stopni

90 procent wilgotności względnej

Składowanie

40 stopni

93 procent wilgotności względnej

 

Tabela 3-4 Zmiana temperatury

 

Temperatura

Operacja

0 stopień

70 stopni1

Składowanie

-40 stopień

85 stopni

 

Uwagi:

1. Temperatura pracy jest mierzona na podstawie temperatury obudowy, w której sugerowany jest przepływ powietrza SMART, co pozwoli na pracę urządzenia w odpowiedniej temperaturze dla każdego elementu w środowisku dużego obciążenia.

 

3.1.2. Zaszokować

Stół 3-5 Szok

 

Siła przyspieszenia

Nieoperacyjny

1500G

 

3.1.3. Wibracja

Tabela 3-6 Wibracje

 

kond

icja

Częstotliwość/przemieszczenie

Częstotliwość/Przyspieszenie

Nieoperacyjny

20 Hz ~ 80 Hz/1,52 mm

80Hz~2000Hz/20G

 

3.1.4. Upuszczać

Stół 3-7 Upuść

 

 

Wysokość spadku

 

 

Liczba kropli

Nieoperacyjny

 

80 cm swobodnego spadania

 

 

6 ścian każdej jednostki

 

3.1.5. Pochylenie się

Tabela 3-8 Gięcie

 

 

 

 

Siła

 

 

Działanie

Nieoperacyjny

 

Większy lub równy 20N

 

 

Przytrzymaj 1 min/5 razy

 

3.1.6. Moment obrotowy

Tabela 3-9 Moment obrotowy

 

 

 

 

Siła

 

 

Działanie

Nieoperacyjny

 

0,5N-m lub ±2,5 st

 

 

Przytrzymaj 1 min/5 razy

 

3.1.7. Wyładowania elektrostatyczne (ESD)

Tabela 3-10 ESD

 

 

Specyfikacja

 

 

plus /- 4KV

 

EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 i IEC 61000-4-2

Wpływa to na funkcje urządzenia, ale EUT automatycznie powróci do swojego normalnego lub operacyjnego stanu.

 

4. SPECYFIKACJE ELEKTRYCZNE

 

4.1. Napięcie zasilania

Tabela 4-1 Napięcie zasilania

Parametr

Ocena

Napięcie robocze

Min.=3,14 V Maks.=3,47 V

Czas narastania (maks./min.)

10 ms / 0,1 ms

Czas opadania (maks./min.)

1500 ms / 1 ms

min. Po czasie1

1500 ms

NOTATKA:

1. Minimalny czas między odłączeniem zasilania od dysku SSD (Vcc < 100 mV) a ponownym włączeniem zasilania do dysku.

 

4.2. Pobór energii

Tabela 4-2 Zużycie energii w mW

Pojemność

Konfiguracja Flasha

CE#

Odczyt (maks.)

Zapis (maks.)

Czytać

(Śr.)

Napisz (śr.)

128 GB

DDP x 1

2

3200

2930

2940

2530

256 GB

DDP x 2

4

4650

4560

4120

3400

512 GB

QDP x 2

8

5260

4190

4090

3390

1024 GB

QDP x 4

16

5350

6070

4050

3380

2048 GB

ODP x 4

16

6320

6650

4440

3810

UWAGI:

W oparciu o serię APF1Mxxx w temperaturze otoczenia.

Średnia wartość zużycia energii została osiągnięta przy 100-procentowej sprawności konwersji.

Zmierzone napięcie zasilania wynosi 3,3 V.

Temperatura urządzenia pamięci masowej w PS1 powinna pozostać stała lub powinna nieznacznie spadać dla wszystkich obciążeń, więc rzeczywista moc w PS1 powinna być niższa niż PS{2}}.

Temperatura urządzenia pamięci masowej w PS2 powinna gwałtownie spadać dla wszystkich obciążeń, więc rzeczywista moc w PS2 powinna być niższa niż w PS1.

 

 

5. INTERFEJS

 

5.1. Przypisanie pinów i opisy

Tabela {{0}} określa przypisanie sygnału wewnętrznego złącza NGFF do użytku z dyskiem SSD, opisane w specyfikacji PCI Express M.2 w wersji 1.0 karty PCI-SIG.

 

Tabela 5-1 Przypisanie pinów i opis HG2283 M.2 2280

Nr styku

Pin PCIe

Opis

1

GND

KONFIG._3=GND

2

3.3V

Źródło 3,3 V

3

GND

Grunt

4

3.3V

Źródło 3,3 V

5

PETn3

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

6

N/C

Brak połączenia

7

PETp3

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

8

N/C

Brak połączenia

9

GND

Grunt

10

LED1#

Otwarty dren, aktywny niski sygnał. Sygnały te są używane, aby umożliwić karcie rozszerzeń dostarczanie wskaźników stanu za pośrednictwem urządzeń LED, które będą dostarczane przez system.

11

PERn3

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

12

3.3V

Źródło 3,3 V

13

PERp3

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

14

3.3V

Źródło 3,3 V

15

GND

Grunt

16

3.3V

Źródło 3,3 V

17

PETn2

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

18

3.3V

Źródło 3,3 V

19

PETp2

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

20

N/C

Brak połączenia

21

GND

Grunt

22

N/C

Brak połączenia

23

PERn2

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

24

N/C

Brak połączenia

25

PERp2

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

26

N/C

Brak połączenia

27

GND

Grunt

28

N/C

Brak połączenia

29

PETn1

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

30

N/C

Brak połączenia

31

PETp1

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

32

GND

Grunt

33

GND

Grunt

34

N/C

Brak połączenia

35

PERn1

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

36

N/C

Brak połączenia

37

PERp1

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

 

 

Nr styku

Pin PCIe

Opis

38 N/C

Brak połączenia

39 GND

Grunt

40 SMB_CLK (we/wy)(0/1,8V)

Zegar SMBus; Open Drain z podciąganiem na platformie

41

PETn0

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

42

SMB{{0}}DANE (we/wy)(0/1,8V)

Dane SMBus; Open Drain z podciąganiem na platformie.

43

PETp0

Sygnał różnicowy PCIe TX zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

44

ALERT#(O) (0/1,8V)

Powiadomienie o alarmie do kapitana; Open Drain z podciąganiem na platformie; Aktywny niski.

45

GND

Grunt

46

N/C

Brak połączenia

47

PERn0

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

48

N/C

Brak połączenia

49

PErp0

PCIe RX Sygnał różnicowy zdefiniowany przez specyfikację PCI Express M.2

50

PERST#(I)(0/3,3V)

PE-Reset to funkcjonalny reset karty zgodnie ze specyfikacją PCIe Mini CEM.

51

GND

Grunt

52

CLKREQ#(I/O)(0/3.3V)

Żądanie zegara to referencyjny sygnał żądania zegara, zgodnie z definicją w specyfikacji PCIe Mini CEM; Używany również przez podstany L1 PM.

53

REFCLKn

Sygnały zegara referencyjnego PCIe (100 MHz) zdefiniowane w specyfikacji PCI Express M.2.

54

PEWAKE#(I/O)(0/3.3V)

Wybudzanie PCIe PME.

Otwarty odpływ z podciąganiem na platformie; Aktywny niski.

55

REFCLKp

Sygnały zegara referencyjnego PCIe (100 MHz) zdefiniowane w specyfikacji PCI Express M.2.

56

Zarezerwowane dla DANYCH MFG

Linia danych produkcyjnych. Używany tylko do produkcji dysków SSD.

Nie używany w normalnej eksploatacji.

Kołki należy pozostawić N/C w gnieździe platformy.

57

GND

Grunt

58

Zarezerwowane dla MFG CLOCK

Linia produkcyjna zegara. Używany tylko do produkcji dysków SSD.

Nie używany w normalnej eksploatacji.

Kołki należy pozostawić N/C w gnieździe platformy.

59

Klucz modułu M

Klucz modułu

60

Klucz modułu M

61

Klucz modułu M

62

Klucz modułu M

63

Klucz modułu M

64

Klucz modułu M

65

Klucz modułu M

66

Klucz modułu M

67

N/C

Brak połączenia

68

SUSCLK (32 KHz)

(I)(0/3.3V)

Wejście zasilania zegara 32,768 kHz zapewniane przez chipset platformy w celu zmniejszenia zużycia energii i kosztów modułu.

69

NC

KONFIG{0}} Brak połączenia

70

3.3V

Źródło 3,3 V

71

GND

Grunt

72

3.3V

Źródło 3,3 V

73

GND

Grunt

74

3.3V

Źródło 3,3 V

75

GND

KONFIG_2=Uziemienie

 

7. WYMIAR FIZYCZNY

Rozmiar: M.2 2280 S2

Wymiary: 80,00 mm (dł.) x 22,00 mm (szer.) x 2,15 mm (wys.)

 

Wyświetl kierunek

Diagram

Szczyt

product-226-319product-266-169

 

Spód

product-477-537

 

Wyświetl kierunek

Diagram

Strona

      

product-215-578

 

product-759-182

Rysunek 7-1 Schemat mechaniczny i wymiary produktu

 

8. UWAGI APLIKACYJNE

8.1. Środki ostrożności dotyczące obchodzenia się z opakowaniem z wagą waflową (WLCSP).

Na jednym urządzeniu SSD składa się wiele komponentów. Z dyskiem należy obchodzić się ostrożnie, zwłaszcza jeśli zawiera jakiekolwiek komponenty WLCSP (opakowywanie waferowych układów scalonych), takie jak PMIC, czujnik termiczny lub przełącznik obciążenia. WLCSP to jedna z technologii pakowania, która jest powszechnie stosowana do tworzenia mniejszych powierzchni, ale wszelkie uderzenia lub zadrapania mogą uszkodzić te ultramałe części, dlatego zdecydowanie zaleca się delikatne obchodzenie się z nimi.

 

product-37-32NIE UPUŚĆ dysku SSD

product-37-32INSTALUJ dysk SSD Z OSTROŻNOŚCIĄ

product-37-32WYRZUCIĆ SSD W ODPOWIEDNIM OPAKOWANIU

 

8.2. Środki ostrożności dotyczące montażu dysku SSD M.2 M.2

M Key M.2 SSD (Rysunek 1) jest kompatybilny tylko z gniazdem M Key (Rysunek 2). Jak pokazano w przypadku użycia 2, niewłaściwe użycie może spowodować poważne uszkodzenia dysku SSD, w tym spalenie.

 

 

Rysunek 8-1 Klawisz M M.2 Środki ostrożności podczas montażu

 

product-1007-439

 

 

Popularne Tagi: NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7, Chiny NOWY dysk SSD M.2 PCIE NVME 256 GB 512 GB 1 T 2 T HG2283 plus HYNIX V7, Adapter karty CF dla karty SD, Adapter Duo Memory Stick do SD, Adapter MicroSd Memory Stick, Micro SD Adapter USB, Adapter USB Micro SD, Adapter karty USB CF

Wyślij zapytanie

(0/10)

clearall